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碲化鈮展現(xiàn)下一代存儲(chǔ)器材料前景

2023-07-12 05:23:33 科技日?qǐng)?bào)


(資料圖片)

科技日?qǐng)?bào)記者?張夢(mèng)然

美國(guó)東北大學(xué)研究人員驗(yàn)證了濺射技術(shù)在制造大面積二維范德華四硫?qū)倩锓矫娴臐撛谟猛尽@眠@項(xiàng)技術(shù),他們制造并鑒定了一種非常有前途的材料——碲化鈮,它具有約447℃(起始溫度)的超低熔點(diǎn)。這一成果發(fā)表在最近的《先進(jìn)材料》雜志上。

圖片來(lái)源:《先進(jìn)材料》

相變存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,它利用相變材料從非晶態(tài)(原子無(wú)序排列)轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)(原子緊密堆積在一起)的能力。這種變化產(chǎn)生了可逆的電特性,可用于存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)。近年來(lái),二維范德華過(guò)渡金屬二硫?qū)倩镆殉蔀橐环N有前景的相變材料,可用于相變存儲(chǔ)器。

雖然這一領(lǐng)域還處于起步階段,但相變存儲(chǔ)器由于其高存儲(chǔ)密度和更快的讀寫能力,有望徹底改變數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。但與這些材料相關(guān)的復(fù)雜開關(guān)機(jī)制和制造方法,仍然給大規(guī)模生產(chǎn)帶來(lái)了挑戰(zhàn)。

研究人員表示,濺射是一種廣泛使用的技術(shù),涉及將材料薄膜沉積到基板上,從而能夠精確控制薄膜的厚度和成分。此次新研究所沉積的碲化鈮薄膜最初是非晶態(tài)的,但通過(guò)在272℃以上的溫度下退火可結(jié)晶為二維層狀晶相。

與傳統(tǒng)的非晶態(tài)相變材料不同,碲化鈮表現(xiàn)出低熔點(diǎn)和高結(jié)晶溫度。這種獨(dú)特的組合降低了復(fù)位能量并提高了非晶相的熱穩(wěn)定性。研究人員評(píng)估了碲化鈮的開關(guān)性能,與傳統(tǒng)的相變存儲(chǔ)化合物相比,它的運(yùn)行能量顯著降低。

團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì),新材料可在高達(dá)135℃的溫度下保留數(shù)據(jù)10年,優(yōu)于傳統(tǒng)非晶態(tài)相變材料的85℃,這表明碲化鈮具有出色的熱穩(wěn)定性以及在汽車行業(yè)等高溫環(huán)境中使用的可能性。此外,碲化鈮還表現(xiàn)出約30納秒的快速切換速度,進(jìn)一步凸顯了其作為下一代相變存儲(chǔ)器的潛力。

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